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고속 O-C 및 L-밴드 광섬유 통신을 위해 이러한 InP 기반 레이저, 장치 및 포토다이오드 제품을 사용하십시오.
냉각되지 않은 경우 100mW의 출력 전력과 냉각 시 300mW의 출력 전력을 확보하여 최첨단 O-밴드 트랜시버에 대해 각각 레인당 100Gbps 및 200Gbps를 지원합니다.
4개의 O-대역 CWDM 파장 모두에서 사용할 수 있는 NRZ 또는 PAM4(4레벨) 변조를 기반으로 하는 고속 비냉각식 트랜시버에 이 13XX nm 레이저 다이오드 칩을 사용하세요.
이러한 FP(Fabry-Perot) 및 DFB(분산 피드백) 레이저 다이오드 칩을 사용하여 수 mW의 13XX nm 레이저 출력이 필요한 광 트랜시버 및 기타 구성 요소를 구축하세요.
56GBd 및 112GBd PAM4 변조를 사용하는 광 트랜시버를 위한 최적의 송신기 장치.
1310 nm에서 0.8 A/W의 일반적인 응답률로 1270-1620 nm 파장 범위 어디에서나 채널 모니터링을 위해 이러한 자기밀폐형 장치를 사용하십시오.
(28Gbps) NRZ 또는 (56Gbps) PAM4용으로 구성된 플러그형 트랜시버에 이러한 13XX nm 포토다이오드 어레이 칩을 사용하고 낮은 암전류와 높은 신뢰성의 이점을 누리십시오.
200Gb/s PAM4 광학 레인을 갖춘 차세대 800G 및 1.6T 트랜시버에 사용하도록 설계된 고속 포토다이오드는 데이터 센터 애플리케이션의 신뢰성과 성능 면에서 크게 향상되었습니다.
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