베르크스토페
Epitaktische III-V-Photonik-Wafer
Liefern Sie Hochleistungslaser, Melder und andere optoelektronische III-V-Halbleiterbauelemente, indem Sie mit unseren gleichbleibend hochwertigen Epitaxiewafern fertigen.
Die 바카라 카지노 Foundry setzt eine hochmoderne MOCVD-Plattform ein, um Wafer zu liefern, die einen neuen Standard für Qualität, Leistung und Ertrag setzen. Diese erfüllen die Anforderungen anspruchsvoller Industrie-, Automobil-, Militär- und Kommunikationsanwendungen.
III-V-Photonik-Wafer – Fähigkeiten
Beziehen Sie 2-Zoll- bis 6-Zoll-Wafer, die in unserer 2.322 Quadratmeter großen Reinraumanlage der Klasse 1000 hergestellt werden.
Gerätetyp |
기본재료 |
Werkstofffähigkeit |
웨이퍼-Durchmesser |
EpiLaser® (VCSEL, EEL, LED) |
GaAs |
AlGaAs/GaAs, InGaP/GaAs, InAlGaP |
bis zu 150mm |
인피 |
InP/InGaAs, InGaAsP, InAlAs, InAlGaAs |
bis zu 100mm |
|
EpiDetector® (핀아이엔, APD) |
GaAs |
AlGaAs/GaAs, InGaP/GaAs |
bis zu 150mm |
InP |
InP/InGaAs, InGaAsP, InAlGaAs |
비스 주 100mm |
|
EpiSolar™ (1J, 2J, 3J, 4J) |
GaAs, Ge |
InGaP/GaAs/InGaAs, InAlGaP, AlGaAs |
bis zu 150mm |
InP |
InP/InGaAs, InGaAsP, InAlAs, InAlGaAs |
bis zu 100mm |
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