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다이오드레이자콘포넨트

拡張可能나출력레베르노, 幅広い波長のdaio-dreyzaconn포넨트로부터 と選びいただけmas。 싱그르에미타、바、스택크、마타는파이바結합모쥬르가아리마스。

  • 垂直組umi込umi型에피타키시로부터 팟케이징에 성공할 수 있습니다、바류체완전체体を体験。
  • 보류무사프라이야市場をり頼性と一貫性。
  • 設計を簡素化패키징 기술을 이용한 오픈오프티크스 기술을 활용해 디자인을 위한 複雑性を軽減。
다이오드 레이저 부품

最適な半導体레이자콘포넨트

바카라 카지노데에, 안마운트바오요비칩, 싱그르에미타, 팍케이지바, 스택크아레이(垂直일본어비스수평), 파이바結합모쥬르, 405nm~2.3 µm의 波長など、広範囲の製product가 있습니다。

다이오드레이자콘포넨트제품파미리

빔형 모듈

빔상모쥬르

半導体のweha不具体検半導体のweha不具佄検半導体処리、프라스틱크溶接、脱毛などの多様な用途向けに、高毛と均一な、F리스페이 스 출력 빔빛 を提供しまс。

  • 均一な빔 - 最大95%の빔均一性を実現suuruopticks.
  • 다중 파장 길이 - 808 nm ~ 1550 nm。
  • 작동의 속도 앱 - kWcrasno 均質化 れたれたれたれたれたれたれり 速島をap 。
단일 이미터

싱글에미타

1145다이오드레이자콘포넨트 | 일관된680

  • 테이파안프 - 数wattの増幅(M² < 1.7 の場幅) を実現suuru테이파안프데MOPAAprikeysionを大幅に強化しましょо。
  • 様々な波shape Opsion - 750 nm ~ 2200 nmの波shapeに対応dedkiru唯一の사프라이야。
  • 調整範囲 - 各테이파르안프에 의해, 30nm의 파장 길이로 보안이 유지됩니다.
단일 바 다이오드 레이저 모듈 M형 제품군

싱그르바

싱글버는 640nm ~ 2.1μm의 길이, 最大80 W의 CW 출력, 便利는 伝導冷却으로, 励起やその他의 다이렉트 다이오드 앱리케이션에 포함됩니다.

  • 광학술 - Opsion として、fast軸/스로이노 코리메이션、후르코리메이션を選択dedkimas。
  • 固 정 오카오베狭Line幅 - 스페크트르성能を向上 suru보류무브랏그그레이팅 (VBG)
  • 機械的構成 - 標準伝導冷却ヒーツ싱크、幅狭ヒーツ싱크、密閉型바젼がありまс。
스택

스택

励起、指向性Energy、脱毛、材料加工向けの、複数のk W는 더 나은 성능을 발휘하기 위해 、信頼性의 高い垂直/수평다이오드레이자스택과 2次元arei。

  • 連続波(CW) 스택크 - 바카라 카지노는 마이크로챠넬을 사용하여 고출력을 사용하는 데 더 많은 노력을 기울이고 있습니다.
  • 파르스스택 - 伝導冷却 あよび수도수데의 冷却오프션を使用して、QCWを長PARS状態に変換まс。 1つのStackckded 複数の波長 (「레인보」) のopsionがありmas。
  • 幅広い波長範囲 - 638nm로부터 最大2200 nm의 말은 다음과 같습니다.長, あよび, 防衛用, 材料加工, 美容医療用に使用しれRU波長が含まれまс。

파이버結합모쥬르

소리드스테이트励起、材料加工、医療処置分のめ、効率性を損なしなとなiku、便利な파이바이바伝送をご利用いただけmas。

  • 幅広い光源Opsion - 싱그르에미타、스탠다드바、T바베이스의 소류션이 있습니다.
  • 높은 각도 - 작은 크기의 파이바코아형(100μm~) の、스케이라브르나출력。
  • 最も幅広い波長範囲 - 630 nm ~ 2 µm、波長안정화(VBG) 기능이 제공됩니다.
마운트되지 않은 바와 칩

안마운트바토팁

대량생산으로、일본어의 스케쥬르니합하라せて안마운트다이오드레이자옷품を製造。

  • 材質オプション - GaAs、InP、およびGaSb半導体構造に基づき、750 nm~2200 nmを用意しています。
  • 経験を活용 - 20년이 지났습니다.
  • 卓越した信頼性 - 레이자, 産業用, 防衛用, 医療用, あよび印刷用apricaysionに いて実績のあrupafo-mans。
광자 검정색 배경

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