SiC-Leistungsgeräte und -바카라 베팅dule
Siliziumkarbid-Bare-Die-바카라 베팅SFETs
Entwickeln Sie Leistungselektronik für 바카라 베팅 anspruchsvollsten Anwendungen im Automobilbereich und nutzen Sie 바카라 베팅 unübertroffenen Effizienz-, Frequenz-, Temperatur- und Spannungseigenschaften von SiC.
Die SiC-Bare-Die-바카라 베팅SFETs von Coherent nutzen eine bewährte Technologieplattform (lizenziert von GE Aviation Systems), um branchenführende FIT-Raten zu erzielen. Sie sind nach AEC-Q101 für Automobilanwendungen zugelassen und bieten eine branchenführende Sperrschichttemperatur von 200 °C.
Bare-Die-Siliziumkarbid-바카라 베팅SFETs – Eigenschaften
Hohe Spannung und niedriger RDS(on) bis 200 °C.
Schnelles Schalten durch extrem niedrigen Gate-Widerstand.
Sehr geringe, temperaturinv바카라 베팅iante Schaltverluste.
Lawinenrobustheit, 바카라 베팅 der von Silizium überlegen ist
Body-Diode mit schneller Erholung für synchrone Gleichrichtung.
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