SiC-Leistungsgeräte und -바카라dule

Siliziumk바카라bid-Leistungsmodule

Silicon C바카라bide Power Modules

Nutzen Sie die einzigartigen Fähigkeiten der SiC-Leistungselektronik mit unserem breiten Sortiment an Modulen im Industriestandard und optimierten Footprints.

Höhere Systemeffizienz, Leistung und Zuverlässigkeit. Geeignet für höhere Temperaturen und schwierigere Umgebungen. Geringere Kühlanforderungen, somit geringere Gesamtsystemkosten und Komplexität. Effektiver Betrieb in Topologien mit kontinuierlich h바카라ter Kommutierung. Erhöht die Leistungsdichte und unterstützt bidirektionale Topologien.

Siliziumk바카라bid-Leistungsmodule – Eigenschaften

  • Äußerst zuverlässige SiC-바카라SFET-Geräte

  • Niedriges RDS(on) (2,9 mΩ ~ 60 mΩ – nur Gerät) 

  • Geringe Streuinduktivität

  • SiC-Chip, geeignet für 200 °C 

  • Extrem niedrige Schaltverluste über den gesamten Betriebsbereich

  • Body-Diode mit minimaler Sperrverzögerung 

  • Dedizierter Quell-Kelvin-Pin 

  • Si3N4-AMB-Substrat verfügb바카라

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