Substrate und Epitaxie auf 라이브스코어 바카라사이트-Basis

SiC für 라이브스코어 바카라사이트 Leistungselektronik

라이브스코어 바카라사이트 for Power Electronics

Stellen Sie MOSFETs, IGBTs und andere Komponenten für Hochtemperatur- und Hochfrequenz-Leistungselektronik her, für den Einsatz in Elektro- und Hybridfahrzeugen sowie in der Luft- und Raumfahrt.

Unsere leitfähigen 라이브스코어 바카라사이트-Substrate zeichnen 라이브스코어 바카라사이트h durch einen niedrigen spezifischen Widerstand, eine geringe Defektdichte, eine hohe Homogenität, eine hervorragende Kristallqualität und eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus und ermöglichen so Bauteile mit geringer Verlustleistung, Hochfrequenzbetrieb und guter thermischer Stabilität.

n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften

Coherent verbessert kontinuierlich die Qualität seiner Werkstoffe und vergrößert die Substratdurchmesser, damit unsere Kunden die Leistung ihrer Geräte steigern und die Kosten senken können.

Datenblätter

n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften

Physikalische Eigenschaften

Struktur

Sechseckig, Einkristall

Durchmesser

Bis zu 200 mm

Grade

Prime, Entwicklung, Mechanik

Thermische Eigenschaften

Wärm라이브스코어 바카라사이트eitfähigkeit

370 (W/mK) bei Raumtemperatur

Wärmeausdehnungskoeffizient

4,5 x 10-6/K

Spezifische Wärme (25 °C)

0,71 (J/g°C)

Weitere wichtige Eigenschaften von Coherent 라이브스코어 바카라사이트-Substraten (typische Werte)

Parameter

N-Typ

Polytyp

4H

Dotierstoff

Stickstoff

Widerstand

1019 Ohm -cm

Ausrichtung

4° außeraxial

Rauhigkeit, Ra

< 5 Å

Versetzungsdichte

~3.000 cm-2

Mikrorohrdichte

< 10 cm-2

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