SiC 컨트롤 및 에피택시
전력전자 장치용 SiC
전기차 및 하이브리드 자동차와 공유 우주 응용 분야에 사용되는 온도, 전력 전자 장치를 위한 MOSFET, IGBT 및 기타 구성 요소를 제작합니다.
당사의 성능은 낮은 저항, 불량품, 균일성, 우수한 품질 결정 및 높은 열 전달을 결합하여 장치의 전력 감소를 줄 수 있도록 운동할 가능성이 있는 반면 열성을 향상시킵니다.
n형 실리콘 카바이드 재료의 오른쪽
바카라 카지노는 고객 사의 성능을 충분히 경제적으로 할 수 있도록 재료의 품질을 개선하고 직경을 좋게 하고 있습니다.
n형 실리콘 카바이드의 왼쪽 |
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물리적오른쪽 |
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구조 |
육각형, 단결정 |
직경 |
최대 200mm |
등급 |
프라임(Prime), 개발(Development), 기계(Mechanical) |
열적오른쪽 |
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열전도율 |
실온에서 370(W/mK) |
열팽창 자체 |
4.5 x 10-6/K |
비열(25°C) |
0.71(J/g°C) |
바카라 카지노 SiC 카드의 기타 주요 속성( 사랑하는 속성) |
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매개 다양 |
N형 |
폴리타입 |
4H |
도펀트 |
질소 |
비저항 |
> 1019옴 -cm |
방향 |
4° 축외 |
거칠기, 라 |
<5Å |
전위 설명 |
~3,000cm-2 |
마이크로파이프 설명 |
< 10cm-2 |
