Netzwerktechnik
Kantenbeleuchtete 모니터-포토다이오드(EMPD) 칩
Verwenden Sie diese selbsthermetischen Geräte zur Kanalüberwachung überall im 1270-1620 nm-Wellenlängenbereich mit einer typischen Empfindlichkeit von 0,8 A/W bei 1310 nm.
Diese kompakten, kantenbeleuchteten InGaAs-Monitor-Fotodiodenchips verfügen über eine nominelle active Fläche von 210 μm x 210 μm und einen Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 90 °C. Dies vereinfacht ihre Integration in Transceiver, Transponder und andere Geräte.
Kantenbeleuchtete 모니터-포토다이오드(EMPD) 칩
Verwenden Sie diese GR-468-qualifizierten 칩 in nicht hermetischen Gehäusen, um leistungsstarke Kommunikationskompontenen mit hoher Zuverlässigkeit und extrem niedrigem Dunkelstrom zu erstellen.
Hauptmerkmale
Große active Fläche – nominell 210 μm x 210 μm
Betriebstemperatur: -40 °C ~ +90 °C
Qualifiziert gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen
극단 niedriger Dunkelstrom bei hoher Zuverlässigkeit
Reaktion auf 1270–1620 nm mit typischer Reaktionsfähigkeit von 0,8 A/W bei 1310 nm
Entspricht RoHS
