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엣지광형모니타포트다이오드(EMPD)칩
고레라의 자체 설계 데바이스는 1270~1620nm의 장력을 사용하여 네르모니타링 성능을 사용하며, 1310nm로 0.8 A/W입니다.
이 콘파크트나면 조명 InGaAs모니타포트다이오드칩은, 공개 아크티브에리아210 μm x 210 μm、동작 온도 온도는 -40°C~90°Cを特徴としていままし。 이대로 가세요, 트란시바, 트란스폰다, 포노데바이스への統合が容易になりまс。
엣지광형모니타포트다이오드(EMPD)칩
여기라노GR-468規格準拠칩を不密閉型팍케이지데용 이 일로、高い信頼性と極めて低い暗頼性と極めて低い暗頼性を備えた高性能信信conポ-ネentを製작품데키마스。
主な機能
広い아크티브에리아 - 공개 210μm x 210μm
동작온도-40°C~+90°C
비密閉型팍케이지용으로 てGR-468規格準拠
極めて低い暗頼性
1310nm로 0.8A/W의 전류 전력성으로1270~1620nmに応答
RoHS適합