InPオプト바카라사이트 기가

これらのInPベースの바카라사이트 기가、デバイス、フォトダイオード製品は、高速O、C、Lバンドの光ファイバー通信に使用できます。

非冷却時の出力は100 mW、冷却時の出力は300 mWで、最先端のOバンドトランシーバーで바카라사이트 기가ンあたりそれぞれ100 Gbpsと200 Gbpsを得ることができます。

NRZまたはPAM4（4レベル）変調をベースとした高速非冷却式トランシーバーには、4つのOバンドCWDM波長すべてで利用できる13XX nm바카라사이트 기가ダイオードチップを使用できます。

ファブリーペロー（FP）および分布帰還（DFB）型바카라사이트 기가ダイオードチップを使用することで、数mWの13XX nm바카라사이트 기가出力が必要な光トランシーバーやその他のコンポーネントを構築できます。

56 GBdおよび112 GBd PAM4変調を採用している光トランシーバーに最適な送信機。

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