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고출력 100mW DFB 레이저 다이오드 칩

냉각되지 않은 경우 100mW의 출력 전력과 축소 시 300mW의 전력을 충분히 확보하여 최신 O-밴드 트랜시버에 자체적으로 100Gbps 및 200Gbps를 견딜 수 있습니다.

비냉각식 DR4 및 DR8 트랜시버의 CWDM(Coarse Division Multiplexing)을 요구해야 하므로 4개의 힘을 더 강력하게 제공하는 칩입니다. 신뢰도가 비밀폐형 패키지를 사용할 수 있는 GR-468 인증 제품입니다.

고출력 100mW 레이저 다이오드 칩

칩 테스트 및 검사 시 그립 링 Ø 150mm를 운동한 반투명 테이프를 사용합니다. 최첨단 실리콘 트랜시버 설계를 1.6T까지 연결할 수 있는 미래 지향적인 기술입니다.

주요 특징

  • 비냉각식 O-밴드 CWDM4용으로 설계됨

  • 비밀폐형 패키지에서 사용할 수 있는 GR-468 인증 제품

  • 탁월한신뢰도

  • 상단 뒷면 및 뒷면 구성

  • RoHS 준수

  • 사용 가능 - CWDM4 1270nm ~ 1330nm