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재료

III-V RF 에피택시 웨이퍼

일관적인 고성능 III-V 에피택셜 웨이퍼로 시작하여 고속 전자 부품을 만들 때 효율성, 대역폭 및 신뢰성을 향상시키세요.

바카라 카지노는 고급 III-VI 반도체 에피택셜 웨이퍼의 개발, 설계 및 제조를 위한 광범위한 역량을 보유하고 있습니다. 우리는 귀하가 쉽게 차세대 기술을 귀하의 애플리케이션에 도입하고 대량 생산을 지원할 수 있도록 지원합니다.

RF 웨이퍼 기능

무선 장치, 데이터 센터, 고속 통신 네트워크 등을 위한 2인치~6인치 웨이퍼를 공급합니다.

기기 유형

기본 자료

물질적 능력

웨이퍼 직경

EpiHBT®

GaAs

InGaP/GaAs, AlGaAs/GaAs

최대 150mm

인피

InP/InGaAs

최대 100mm

EpiBiFET®

GaAs

InGaP/GaAs, AlGaAs/GaAs

최대 150mm

InP

InP/InGaAs, InP/InAlAs

최대 100mm

EpiFET®

GaAs

AlGaAs/GaAs, InGaP/GaAs

최대 150mm

InP

InP/InGaAs, InP/InAlAs

최대 100mm