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材料

III-V RF에피타키샤르웨하

안정화된 높은 성품의 III-V에피타키샤르웨하를 사용하기 위한 것 그리고, 高速Electroniks 부서 제품의 製造効率, band幅, 信頼性を向上しせりとがdedikimas。

바카라 카지노は、先進的なIII-VI半導体에피타키샤르웨하の開発、設計、製造に関는 広範な能力を備えてい마스입니다.

RFwehaの機能

와이야레스데바이스, 데이타센타, 高速信nettwork등에 의해 2인치에서 6인치로 웨하を供給し마스。

데바이스의 종

基材

材料の特性

웨하노直径

EpiHBT®

GaAs

InGaP/GaAs、AlGaAs/GaAs

150mmまと

인피

InP/InGaAs

100mmまと

EpiBiFET®

GaAs

InGaP/GaAs、AlGaAs/GaAs

150mmまと

InP

InP/InGaAs、InP/InAlAs

100mmまと

EpiFET®

GaAs

AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs

150mmまと

InP

InP/InGaAs、InP/InAlAs

100mmまと