SiC 기반 기판 및 에피택시
SiC-에피택시
Beschleunigen Sie die Markteinführung, senken Sie die Kosten und verbessern Sie die Geräteleistung, indem Sie auf Hochleistungs-SiC-Epitaxiewafern von 바카라 카지노 mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm aufbauen.
바카라 카지노 bietet eine Gesamtlösung für SiC-Werkstoffe mit Optionen für Dicke Epilayer mit oder ohne Puffer, niedrig dotierte Schichten, Mehrschichtstrukturen, p-n-Übergänge, eingebettete/vergrabene Strukturen und Kontaktschichten und vieles mehr. Wir unterstützen Forschung und Entwicklung bis hin zur Serienproduktion.
SiC-Epitaxie-Fähigkeiten – 하이라이트
Modernste SiC-Epitaxie-기술
Rekordniedrige Defektdichte durch effiziente Pufferschichttechnologie
Verhindert die Keimbildung kristalliner Defekte zu Beginn des Wachstums
TED의 Umwandlungsrate von BPD >99,8 % → 1 BPD pro cm2
Ermöglicht 양극 SiC-Gerätetechnologie
Erstklassige Schichthomogenität mit LPE PE106
Einstellbare seitliche Gasströme
Hohe Wachstumsrate von 40 µm/h bei Verwendung von TCS als Siliziumvorläufer
Dickschichtwachstum von 150 µm und mehr
Niedrige Dotierungskonzentrationen von 1×1014/cm3
Ermöglicht >15 kV SiC-Bauteiltechnologie
