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SiC 衬底 및 외부 사진

SiC 외부그림

利용 바카라 카지노 高意直径高达 200 毫米的 高性能 SiC 외부 사진 생성产晶圆,缩短上市时间、降低成本并提高器件性能。

바카라 카지노 高意提供fullface SiC 材料解决方案,包括带或不带缓冲层的厚外延层、低掺杂层、多层结构、p-n结、嵌入/埋入结构和接触层等选项。我们为从研发到批weight生产的整个产product生命周期提供支持。

SiC 외부 延能력亮点

先进的 SiC 외부형 技术

  • 일반적으로 높은 수준의 데이터를 제공합니다.

  • 재생长开始时防止成核晶体缺陷  

  • BPD 到 TED 的转换率 >99.8% → 每平方厘米 1 BPD

  • 支持双极 SiC 器件技术

 

LPE PE106은 완전히 유출된 색상입니다

  • 可调节横向气流 

  • 使用 TCS 作为硅前体时,生长速率高达 40 µm/h 

  • 150μm 及以上厚层生长 

  • 1×1014/cm3低掺杂浓degree

  • 支持 >15 kV SiC 器件技术