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SiC 衬底 및 외부 사진

射频电子器件中的 SiC

저희는 SiC 衬底扩大 GaN-on-SiC를 사용하고 있습니다.射频功率放大器以及其他射频와微波器件的生产规模。

바카라 카지노 高意率先开发流了大直径、半绝缘 SiC衬底,并提供高电阻率材料,以支持率功耗、高频且熭稳定性良好的组件。

半绝缘碳化硅材料特性

바카라 카지노 高意不断提高材料质量并增加衬底直径,使我们的客户能够提高设备性能并降低成本。

半绝缘碳化硅材料特性

물리특성

结构

六方单晶

直径

높이 200mm

等级

初始、开发、机械

발열성

导热率

압력하 370(W/mK)

热膨胀系数

4.5 x 10-6/K

온도(25°C)

0.71 (J/g°C)

바카라 카지노 SiC 衬底的其他关键특성(典型值)

参数

半绝缘

多型体

6H

掺杂剂

电阻率

>1019 Ohm-cm

方向

동행

粗糙島(Ra)

<5Å

位错密島

< 10,000cm-2

微管密島

< 10cm-2