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SiC 기판 및 에피택시

RF 전자공학용 SiC

고품질 반절연 SiC 기판을 사용하여 GaN-on-SiC RF 전력 증폭기 및 기타 RF 및 마이크로파 장치의 생산을 확장합니다.

바카라 카지노는 대구경 반절연 SiC 기판 개발을 개척했으며 저항률이 높은 재료를 제공하여 낮은 전력 손실, 고주파수 작동 및 우수한 열 안정성을 갖춘 구성 요소 제조를 가능하게 합니다.

반절연 탄화규소 재료 특성

바카라 카지노는 재료 품질을 지속적으로 개선하고 기판 직경을 늘려 고객이 장치 성능을 높이고 비용을 절감할 수 있도록 지원합니다.

반절연 탄화규소 재료 특성

물리적 특성

구조

육각형, 단결정

직경

최대 200mm

성적

프라임, 개발, 기계

열적 특성

열전도율

상온에서 370(W/mK)

열팽창계수

4.5 x 10-6/K

비열(25°C)

0.71 (J/g°C)

일관된 SiC 기판의 추가 주요 속성(일반 값)

매개변수

반절연

폴리타입

6H

도펀트

바나듐

비저항

> 1019옴 -cm

오리엔테이션

축상

거칠기, 라

<5Å

전위 밀도

< 10,000cm-2

마이크로파이프 밀도

< 10cm-2