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SiC基板と에피타키시

RF에렉트로니크스용 SiC

当社의 고급 품질 SiC基板を使 용도、GaN-on-SiC RF파워앤프やその他のRF よび마이크로액데바이스의 生産を拡大して ku だ sai 입니다.

바카라 카지노(바카라 카지노)は、大口径の半絶縁性SiC基板開発の파이오니아로、低전기 력損失, 高周波동작, 優れた熱안정성を備え타콘포넨트の製造を可能に可能に可を抵抗材料を提供していまс。

半絶縁性시리콘카바이드の材料특성

바카라 카지노は, ō客様が데바이스의 성能向上とcost t削減を実現多実り、継続 的に材料のproduct質を改善し、基板の直径を拡大していまс。

半絶縁性炭化케이素の材料特性

생물학적 특수성

構造

六方晶、単結晶

直径

대200mm

그레이드

프라임、開発、메카니칼

열특성

熱伝導率

370(W/mK)、室温

熱膨張係数

4.5 x 10-6/K

온도(25°C)

0.71 (J/g°C)

바카라 카지노 SiC基板の重要な追加特性(代表値)

파라메이타

半絶縁性

포리타이프

6시간

드판트

바나지움

抵抗率

>1019 옴-cm

向木

軸上

粗粗、Ra

<5Å

転位密degree

< 10,000cm-2

마이크로파이프정도

< 10cm-2