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고출력100mW DFB레이자다이오드칩

비冷却시계 출력은 100mW、冷却시계 출력은 300mW로, 最先端の오밴드트란시바데레인은 それぞれ100Gbps와200 Gbpsを得RU이것은 がdedikimas。

고레라노칩은, 비冷却型DR4오요비DR8트랜시버의 粗波장분割多중화(CWDM)波長要件に適信頼性を特徴とし、不密閉型packe-ji use with てGR-468規格に適信していまс。

고출력100mW 레이자다이오드칩

여기라노팁은、Ø150 mm의 그립링을 사용하면 더 나은 성능을 얻을 수 있습니다. 1.6T까지만 높은 수준의 실리콘 콘트랜시바를 사용할 수 있습니다.

主な機能

  • 비冷却式ObandCWDM4용に設計

  • 비密閉型팍케이지용으로 てGR-468規格準拠

  • 優れた信頼性

  • 상부 아노드와 裏면 카소드의 구성

  • RoHS適합

  • 使用可能な波長 - CWDM4 1270nm~1330nm