전기 자동차(EV)는 일부 사람들이 생각하는 것만큼 멋지지 않을 수 있습니다. 특히, EV 트랙션 인버터에서는 발열이 꽤 많이 발생합니다. 이는 배터리의 DC 전류를 트랙션 모터(바퀴에 전원을 공급함)에 필요한 AC 형태로 변환하는 회로입니다.
트랙션 인버터의 전자 부품이 너무 뜨거워지면 작동 효율이 낮아질 수 있습니다. 또한 높은 온도에서 작동하면 이러한 전자 장치의 수명과 신뢰성이 줄어들 수 있습니다. 이로 인해 이 회로를 냉각하는 것이 EV 설계에서 중요한 요소가 됩니다. 그리고 무게를 추가하면 차량 효율성과 주행 거리가 낮아지기 때문에 가능한 한 가볍고 안정적이며 컴팩트한 냉각 시스템을 사용하여 이를 수행하는 것이 과제입니다.
기존 파워트레인 냉각
일반적으로 냉각은 수냉식 베이스플레이트에 전력 전자 장치 및 기타 열 발생 구성 요소를 장착하여 수행됩니다. 이는 열을 멀리 전달하여 전자 장치를 냉각시킵니다. 현재 대부분의 바닥판은 구리 또는 알루미늄으로 만들어집니다. 구리는 열전도율이 좋기 때문에 열을 공급원에서 효율적으로 멀리 이동시킵니다. 알루미늄은 구리보다 열전도율이 낮지만 훨씬 가볍습니다. 그래서 체중이 줄었습니다.
그러나 이들 금속 중 어느 것도 바닥판에 이상적으로 적합하지 않습니다. 그 주된 이유는 이러한 재료가 가열될 때 트랙션 인버터의 패키지 실리콘 또는 실리콘 카바이드 전자 장치와 동일한 속도로 팽창하지 않기 때문입니다. 이러한 차등 팽창은 전력 전자 패키징에 기계적 스트레스를 가합니다. 전자 어셈블리가 휘어져 결국 포장이 파손될 수 있습니다.
열 관리 개선
이상적인 베이스플레이트 소재는 열전도율이 높으며 전자제품 포장의 열팽창 특성과도 밀접하게 일치합니다. 또한 재료가 기계적으로 강하고 단단하며 내부식성이 있고 가벼우며 워터 재킷의 필요성을 줄이거나 없애는 경우에도 유리합니다. 이는 결과적으로 일부 애플리케이션에서 인버터의 무게와 크기를 낮추게 됩니다.
바카라 카지노는 다양한 열 관리 응용 분야의 요구 사항을 충족하기 위해 다양한 반응 결합 Si/SiC(RBSiC) 제제를 개발했습니다. 예를 들어, 일부 반응 결합 Si/SiC 제제는 구리와 유사하거나 더 높은 높은 열 전도성을 제공합니다. 가장 중요한 것은 열팽창 특성을 AlN 또는 Si₃N₄과 같은 전자 패키징 기판 재료의 열팽창 특성과 일치하도록 맞춤화할 수 있다는 것입니다. 테스트 결과, 이 바카라 카지노 RBSiC로 제작된 베이스플레이트가 포장 뒤틀림을 크게 줄이는 것으로 나타났습니다.
그 외에도 이 RBSiC는 높은 기계적 강도와 경도를 포함하여 바람직한 물리적 특성도 가지고 있습니다. 이는 내구성이 뛰어나고 마모 및 손상에 강하여 방열판의 장기적인 신뢰성에 기여합니다. 또한 부식에 강하고 화학적으로 불활성입니다. 마지막으로, 당사의 RBSiC는 구리보다 밀도가 낮기 때문에 베이스플레이트가 더 가볍습니다.
바카라 카지노 RBSiC는 높은 열 전도성과 더 높은 경도(변형에 대한 저항성) 및 금속보다 더 나은 열 팽창 일치를 결합하기 때문에 '열 그리스 펌프 아웃'이라는 문제도 획기적으로 줄입니다. 이 열 그리스 또는 페이스트는 때때로 좋은 열 접촉을 보장하기 위해 고전력 모듈 패키징과 방열판 사이에 도포됩니다. 그러나 금속 베이스플레이트의 경우 기계적 압력과 열 순환으로 인해 베이스 플레이트 사이에서 점차적으로 밀려 나옵니다. 이는 냉각 효과를 감소시킵니다.
실용적인 관점에서 바카라 카지노는 RBSiC 베이스플레이트를 최종 형태의 부품으로 제작할 수 있습니다. 또한 여기에는 냉각 핀이나 냉각 채널과 같은 복잡한 기능이 포함될 수 있습니다. 이로 인해 제조 비용이 절감됩니다. 또한 우리는 적층 제조 기술과 호환되는 형태로 RBSiC를 생산합니다. 이를 통해 추가 가공 작업 없이 미세 냉각 채널과 같은 내부 구조를 포함할 수 있습니다. 이는 다시 생산 비용을 절감합니다.
바카라 카지노는 내부 및 외부 냉각 핀, 내부 물 흐름 채널과 같은 기능을 갖춘 RBSiC 베이스플레이트를 쉽게 제작할 수 있습니다.
바카라 카지노 RBSiC는 실리콘 전력 전자 장치를 활용하여 EV를 위한 우수한 열 관리 솔루션을 제공합니다. 또한 EV 제조업체가 SiC 전력 전자 장치를 채택함에 따라 미래 지향적인 솔루션이기도 합니다. 이는 SiC 전력 전자 장치가 본질적으로 더 높은 온도에서 작동하기 때문에 베이스플레이트와 전자 장치 패키징 간에 훨씬 더 나은 CTE 매칭이 필요하기 때문입니다. 따라서 RBSiC는 안정적이고 적응력이 뛰어난 자산으로 자리매김하여 향후 수년간 시스템 성능을 보호합니다.
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