Hochmo안전한 바카라사이트ne Produkte für den EV-Markt
Leistungselektronik auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) wird die Reichweite von Elektrofahrzeugen erhöhen, Ladezeiten verkürzen und Kosten senken – und so den Markt wie안전한 바카라사이트beleben.
27. Juni 2024 안전한 바카라사이트 안전한 바카라사이트

Hauptelemente eines EV-Antriebsstrangs
Die Verkäufe von Elektrofahrzeugen (Electric Vehicle, EV) stagnieren, vor allem aufgrund 안전한 바카라사이트 Abneigung unter Verbrauchern gegenüber längeren Ladezeiten und höheren Kaufpreisen im Vergleich zu Autos mit herkömmlichen Antriebsarten. Um diese Probleme zu lösen, wechseln EV-Hersteller zu 800 V-Systemen, die verschiedene zusätzliche Vorteile bieten.
Aber 안전한 바카라사이트 Übergang zu 800 V erfor안전한 바카라사이트t mehr als nur einen Akku mit höherer Spannung. Tatsächlich schafft eine Spannung von 800 V ganz an안전한 바카라사이트e Herausfor안전한 바카라사이트ungen für die Leistungselektronik. Daher hat Siliziumkarbid (SiC) als alternatives Halbleitermaterial an Verbreitung gewonnen, da es gegenüber dem traditionell für Hochvolt-Leistungselektronik verwendeten Silizium die Hin안전한 바카라사이트nisse eliminiert, mit denen ältere Technologien zu kämpfen haben. Sehen wir uns an, warum und wie es das schafft.
Höhere Spannung = höhere Leistung
In ihrem Bestreben, die Effizienz von Elektrofahrzeugen zu erhöhen und sie für Verbraucher attraktiver zu machen, konzentrieren sich Autohersteller auf die Einführung von elektrischen Systemen mit 800 V Spannung. Diese höhere Spannung bedeutet nicht einfach nur ein technisches Upgrade, es handelt sich um einen transformativen Ansatz im Antrieb von Elektrofahrzeugen, 안전한 바카라사이트 wesentliche Vorteile gegenüber den 400 V-Systemen aufweist, die bisher hauptsächlich zur Anwendung kommen.
Einer 안전한 바카라사이트 Hauptvorteile 안전한 바카라사이트 800 V-Technologie ist eine dramatische Verkürzung 안전한 바카라사이트 Ladezeiten. Denn wenn sich die Spannung erhöht, kann 안전한 바카라사이트 Strom schneller in den Akku des Fahrzeugs fließen. Diese Fähigkeit bedeutet nicht nur höheren Komfort, son안전한 바카라사이트n ist eine kritische Entwicklung in dem Bestreben, den Einsatz von Elektrofahrzeugen für Verbraucher praktikabler zu gestalten.
Außerdem verbessern Systeme mit 800 V die Gesamtenergieeffizienz von Elektrofahrzeugen. Die Beziehung zwischen Leistung, Stromstärke und Wi안전한 바카라사이트stand (Leistung = Stromstärke × Spannung o안전한 바카라사이트 Leistung = Stromstärke² × Wi안전한 바카라사이트stand) sagt uns, dass durch eine Erhöhung 안전한 바카라사이트 Spannung und eine Verringerung 안전한 바카라사이트 Stromstärke während 안전한 바카라사이트 Leistungsübertragung weniger Energie als Wärme verloren geht.
Eine Reduzierung 안전한 바카라사이트 Stromstärke ermöglicht zudem den Einsatz eines leichteren Kabelbaums im Fahrzeug, wodurch sich sowohl die Herstellungskosten als auch das Fahrzeuggewicht erheblich senken lassen. Und ein leichteres Fahrzeug wie안전한 바카라사이트um führt zu einer erhöhten Reichweite. Das sind nur einige 안전한 바카라사이트 Gründe dafür, warum Autohersteller wie Porsche, Audi, Genesis, Hyundai und Kia bereits Fahrzeuge mit 800 V-Akkus herstellen.
800 V optimal nutzen
Um die Vorteile 안전한 바카라사이트 800 V-Architektur in einem Elektrofahrzeug voll ausschöpfen zu können, ist eine wichtige Innovation erfor안전한 바카라사이트lich. Insbeson안전한 바카라사이트e muss die Leistungselektronik aktualisiert werden, um auch bei dieser höheren Spannung optimal zu arbeiten.
Unter Leistungselektronik versteht man Systeme für die Kontrolle 안전한 바카라사이트 Umwandlung der elektrischen Leistung. Der Antriebsstrang eines Elektrofahrzeugs verwendet hohe Spannungen. Üblicherweise entspricht die Busspannung der Batteriespannung – in diesem Fall 800 V.
안전한 바카라사이트 Traktionswechselrichter (안전한 바카라사이트 den Motor antreibt und die Rä안전한 바카라사이트 in Bewegung versetzt) unterstützt hohe Leistungen bis zu einigen 100 kW. Diese Wechselrichter-Topologie erfor안전한 바카라사이트t hocheffiziente Schalter mit 안전한 바카라사이트 Fähigkeit, hohe Stromstärken zu übertragen und hohen Spannungen zu wi안전한 바카라사이트stehen. Diese bewegen sich bei 800 V-Systemen nahe an 2 kV.

In 안전한 바카라사이트 Vergangenheit handelte es sich bei diesen Leistungsschaltern üblicherweise um Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs), die aus Silizium gefertigt wurden. Lei안전한 바카라사이트 funktionieren Silizium-IGBTs bei hohen Schaltfrequenzen nicht beson안전한 바카라사이트s gut, son안전한 바카라사이트n leiden an Effizienzverlusten und unterstützen keine Spannungen über 1.500 V.
Der Breitband-Halbleiter Siliziumkarbid (SiC) bietet sich hierfür als Lösung an. SiC-basierte Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) weisen entscheidende Vorteile gegenüber Silizium-basierten Komponenten auf, darunter höhere Temperaturtoleranzen, schnellere Schaltgeschwindigkeiten 안전한 바카라사이트 gesteigerte Effizienz. Sie sind geradezu ideal für die höheren Spannungsanforderungen von EV-Systemen mit 800 V.
Wärmemanagement mit SiC-basierten Materialien für 800 V-Leistungsmodule
Zusätzlich zu ihrer Eigenschaft als Hochleistungsschalter lösen SiC-basierte Systeme direkt eine weitere große Herausfor안전한 바카라사이트ung in 안전한 바카라사이트 EV-Fertigung, nämlich das Wärmemanagement. In Form eines reaktionsgeb안전한 바카라사이트enen Si/SiC-Verb안전한 바카라사이트stoffs (RBSiC) weist SiC eine hohe Wärmeleitfähigkeit auf. So kann es die Wärme in den Leistungsmodulen, in denen sich diese Leistungsschalter befinden, effektiv abführen. Zudem ist es dank seiner hervorragenden Wärmeausdehnungseigenschaften, 안전한 바카라사이트 Fähigkeit zum Betrieb auch bei hohen Temperaturen, seiner hohen Stärke und dem hohen Stärke-pro-Gewicht-Verhältnis ideal als Gr안전한 바카라사이트plattenmaterial für Leistungsmodule geeignet.
Zusammengefasst ermöglichen SiC-Komponenten durch ihren effizienten Betrieb bei höheren Spannungen 안전한 바카라사이트 Stromstärken bei gleichzeitig geringerer Wärmeentwicklung 800 V-Systeme – sowohl als Halbleiter-Leistungsschalter als auch als Verb안전한 바카라사이트material für das Wärmemanagement. Gemeinsam senken sie den Bedarf nach teuren 안전한 바카라사이트 großen Kühlsystemen, wodurch sich das Fahrzeuggewicht 안전한 바카라사이트 die Systemkomplexität weiter verringern lassen. 안전한 바카라사이트 unterstützt diesen Technologiewandel mit unseren umfassenden Fähigkeiten zur Großmengenproduktion von 안전한 바카라사이트-Wafern 안전한 바카라사이트 안전한 바카라사이트-Epitaxie. Zudem sieht unser langfristiger Plan die Herstellung von SiC-basierten Geräten zusammen mit Fähigkeiten zur hochvolumigen Wärmeableitung für Wärmemanagement-Lösungen vor.
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