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SiC 컨트롤 및 에피택시

SiC 에피택시

최대 200mm 직경의 바카라 카지노 복합 SiC 에피택셜 유틸리티를 이용하여 새롭게 시간을 단축하고 경제적으로 기능 성능을 개선해 보세요.

바카라 카지노는 범위가 넓지 않은 두꺼운 에피층, 해리핑 층, 다층 구조, p-n 및 처리/매립 구조 및 문의 층 등을 포함하는 옵션을 포함하여 SiC 재료에 관한 토탈 솔루션을 제공합니다. 당사는 R&D부터 양산까지 지원합니다.

SiC 에피택시의 주요 성능

최첨단 SiC 에피택시 기술

  • 효율적인 회수 기술을 통해 불량품을 기록적으로 낮춤

  • 성장 시작 시결정핵 생성을 싫어 

  • BPD-TED 전환율 >99.8% → cm2당 1 BPD

  • 바이폴라 SiC 장치 기술 구현

 

LPE PE106으로 동급 최고의 층 균질성 배터리

  • 측면의 가스 조절 가능 

  • TCS를 실리콘으로 확장하여 40μm/h의 높은 성장 속도 특성

  • 150μm 이상 두꺼운 바닥 성장 

  • 1×1014/cm3의 유니폼 도핑 처리

  • 15kV를 초과하는 SiC 장치 기술 구현